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炭化ケイ素(SiC)基盤

商品の詳細

 炭化ケイ素(SiC)若しくは、シリコンカーバイドは、SiC半導体の最大特徴は、バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広いことです。このため、絶縁破壊にいたる電界強度が3MV/cmと10倍程度大きくなります。又、熱伝導性がSiの3倍以上であり、300°C以上の高温においても電気的特性が安定しているばかりか、デバイス化した場合にはデバイス内部での電力損失をSi半導体の1/10近くまで抑えられます。更に、耐薬品性に優れ、放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴により、SiCは従来のSi半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待されています。
 フレダ テクノロジーは、2〜6インチのテストグレード、インダストリアルグレード、およびセレクトグレードのシリコンカーバイド基板を提供できます。製品は、アメリカンクリー、日本の昭和電工、中国のティアンケヘダから供給され、シリコンカーバイドエピタキシー(EPI)も提供できます。


 グレード  プロダクション ダミー
 サイズ/直径 6インチ/150mm±0.2
 厚み 4H-N:350um±25
4H-SI:500um±25
 結晶方位 Off axis : 4.0° toward <1120>±0.5° for 4H-N
On axis : <0001>±0.5° for 4H-SI
 マイクロパイプ密度 4H-N: ≤2 cm-2
≤15 cm-2
4H-SI: ≤5cm-2
≤15 cm-2
 抵抗率 4H-N: 0.015~0.025 Ω·cm
0.015~0.028 Ω·cm
4H-SI:≥1E5 Ω·cm
 オリフラ  {10-10}±5.0°
 オリフラ長さ 4H-N: 47.5 mm±2.0 mm
4H-SI: Notch
 エッジ 3 mm
TTV/Bow/Warp ≤15μm /≤40μm /≤60μm
 表面粗さ  Polish Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
Hex Plates by high intensity light
Cumulative area ≤0.05%
Cumulative area ≤0.1%
Edge chip None
5 allowed, ≤1 mm each
Scratches by high intensity light
None
Cumulative length≤1×wafer
diameter
Contamination by high intensity light None
 Cracks by high intensity light None
Cumulative
length ≤ 20mm,
single length≤2mm










































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