炭化ケイ素（SiC）若しくは、シリコンカーバイドは、SiC半導体の最大特徴は、バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広いことです。このため、絶縁破壊にいたる電界強度が3MV/cmと10倍程度大きくなります。又、熱伝導性がSiの3倍以上であり、300°C以上の高温においても電気的特性が安定しているばかりか、デバイス化した場合にはデバイス内部での電力損失をSi半導体の1/10近くまで抑えられます。更に、耐薬品性に優れ、放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴により、SiCは従来のSi半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待されています。
　フレダ テクノロジーは、2〜6インチのテストグレード、インダストリアルグレード、およびセレクトグレードのシリコンカーバイド基板を提供できます。製品は、アメリカンクリー、日本の昭和電工、中国のティアンケヘダから供給され、シリコンカーバイドエピタキシー（EPI）も提供できます。