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窒化ケイ素放熱基盤

商品の詳細

窒化ケイ素熱伝導性基板は、LED、マイクロエレクトロニック溶接およびその他の技術分野、送電器、光起電力デバイス、IGBTモジュール、半導体パッケージ基板、その他の高出力オプトエレクトロニクスおよび半導体デバイスの分野で広く使用されています。
 
既存の絶縁層は基本的に窒化シリコン材料を使用しています。 絶縁層にこの熱膨張率を吸収させることにより、溶接割れの問題を解消・低減し、放熱性を向上させます。

 
アイテム スペック 单位
サイズ 114×114×0.32
表面粗さ ≤0.8 Ra
体積密度 3.20 ± 0.05 g/cm3
弾性係数 300~320 Gpa
ポアソンの比率 ≤0.29 -
ビッカース硬度 ≥14.2 Gpa
熱膨張係数
(室温~500℃)
3.0~3.2 10-6/℃
破砕靭性 6.0~7.0 MPa
曲げ強度
(三点曲げ)
700~800 Mpa
熱伝導率(25℃) ≥85 W/(m•k)





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