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氮化镓(GaN)基板

商品详情

氮化镓(GaN)属于宽禁带宽度的第三代半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、高击穿电场突出特性。GaN器件在LED节能照明、激光投影显示、新能源汽车、智能电网、5G通信等高频、高速、大功率需求领域有广泛的应用。
 
富乐达科技可提供2~4寸氮化镓(GaN)单晶衬底片或外延片,以及提供蓝宝石/硅基2~8寸的GaN外延片。


 产品  GaN-FS-C-U-C50 GaN-FS-C-N-C50 GaN-FS-C-SI-C50
 直径  50.8 ± 1 mm
 厚度  350 ± 25 μm
 晶向  C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ± 0.15°
 主定位边  (1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm
 次定位边  (11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm
 导电性 N-type N-type Semi-Insulating
 电阻率 < 0.1 Ω·cm < 0.05 Ω·cm > 106 Ω·cm
 平整度/TTV  ≤ 15 μm
 弯曲度/BOW  ≤ 20 μm
 Ga Face Surface Roughness  < 0.2 nm (polished)
N Face Surface Roughness 0.5~1.5 μm
 Ga面粗糙度 or < 0.3 nm (polished and surface treatment for epitaxy)
N面粗糙度 option: 1~3 nm (fine ground); < 0.2 nm (polished)
位错密度 From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 (calculated by CL)
缺陷密度 < 2 cm-2
有效面积 > 90% (edge and macro defects exclusion)





















































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