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碳化硅(SiC)基板

商品详情

碳化硅基板主要应用于IGBT、5G、大功率器件、光电、电动汽车等领域,碳化硅由于其优良的性能而可能取代硅作芯片。
我公司可以提供2~6英寸的测试级,工业级和精选级碳化硅基板,产品来自美国Cree、日本昭和电工以及中国的天科合达等企业,同时还可以提供碳化硅外延(EPI)加工服务.


 等级  工业级(P级) 测试级(D级)
 尺寸/直径 6英寸/150mm±0.2
 厚度 4H-N:350um±25
4H-SI:500um±25
 晶向 Off axis : 4.0° toward <1120>±0.5° for 4H-N
On axis : <0001>±0.5° for 4H-SI
 微管密度 4H-N: ≤2 cm-2
≤15 cm-2
4H-SI: ≤5cm-2
≤15 cm-2
 电阻率 4H-N: 0.015~0.025 Ω·cm
0.015~0.028 Ω·cm
4H-SI:≥1E5 Ω·cm
 主定位边方向  {10-10}±5.0°
 主定位边长度 4H-N: 47.5 mm±2.0 mm
4H-SI: Notch
 边缘 3 mm
 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 ≤15μm /≤40μm /≤60μm
 表面粗糙度  Polish Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
六方空洞(强光灯观测)*
Cumulative area ≤0.05%
Cumulative area ≤0.1%
崩边
None
5 allowed, ≤1 mm each
划痕(强光灯观测)
None
Cumulative length≤1×wafer
diameter
表面污染物
None
 裂纹 None
Cumulative
length ≤ 20mm,
single length≤2mm























































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