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氮化硅导热基板

商品详情

氮化硅导热基板在LED、微电子焊接等多领域技术,功率型发射器、光伏器件,IGBT模块,半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途。
 
现有绝缘层基本上是使用氮化硅材料。通过使绝缘层吸收此热膨胀率,而解决、降低焊接裂纹的问题,并提高散热性。

产品项目 规格标准 单位
基板尺寸 114×114×0.32
表面粗糙度 ≤0.8 Ra
体积密度 3.20 ± 0.05 g/cm3
弹性模量 300~320 Gpa
泊松比 ≤0.29 -
维氏硬度 ≥14.2 Gpa
热膨胀系数
(室温~500℃)
3.0~3.2 10-6/℃
断裂韧性 6.0~7.0 MPa
抗弯强度
(三点弯曲)
700~800 Mpa
热导率(25℃) ≥85 W/(m•k)






 



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