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氮化硅导热基板
商品详情
氮化硅导热基板在LED、微电子焊接等多领域技术，功率型发射器、光伏器件，IGBT模块，半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途。
现有绝缘层基本上是使用氮化硅材料。通过使绝缘层吸收此热膨胀率，而解决、降低焊接裂纹的问题，并提高散热性。
| 产品项目 | 规格标准 | 单位 |
| 基板尺寸 | 114×114×0.32 | ㎜ |
| 表面粗糙度 | ≤0.8 | Ra |
| 体积密度 | 3.20 ± 0.05 | g/cm3 |
| 弹性模量 | 300～320 | Gpa |
| 泊松比 | ≤0.29 | - |
| 维氏硬度 | ≥14.2 | Gpa |
|
热膨胀系数 （室温～500℃） |
3.0～3.2 | 10-6/℃ |
| 断裂韧性 | 6.0～7.0 | MPa |
|
抗弯强度
（三点弯曲）
|
700～800 | Mpa |
| 热导率(25℃) | ≥85 | W/(m•k) |
